NTJD5121NT1G - MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

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MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
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Technische Daten für NTJD5121NT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTJD5121NT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 26pF @ 20V
Leistung max : 250mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTJD5121NT1G

Datenblätter : NTJD5121NT1G.pdf

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