STD10P6F6 - MOSFET P CH 60V 10A DPAK

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MOSFET P CH 60V 10A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STD10P6F6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD10P6F6
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 48V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STD10P6F6

Datenblätter : STD10P6F6.pdf

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