IPP086N10N3GXKSA1 - MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPP086N10N3GXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP086N10N3GXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3980pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPP086N10N3GXKSA1
Datenblätter : IPP086N10N3GXKSA1.pdf
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