DMT6002LPS-13 - MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

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MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
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Technische Daten für DMT6002LPS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT6002LPS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6555pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMT6002LPS-13

Datenblätter : DMT6002LPS-13.pdf

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