FF11MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4560 Pieces
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Technische Daten für FF11MR12W1M1B11BOMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7950pF @ 800V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
ähnliche Links :
FF11MR , FF11MR12W1
Dokumente für FF11MR12W1M1B11BOMA1
Datenblätter :
FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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