FF11MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FF11MR12W1M1B11BOMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FF11MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 40mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7950pF @ 800V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FF11MR12W1M1B11BOMA1
Datenblätter : FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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