SI4413CDY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
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Technische Daten für SI4413CDY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4413CDY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SI441 , SI4413CD

Dokumente für SI4413CDY-T1-GE3

Datenblätter : SI4413CDY-T1-GE3.pdf

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