SI1958DH-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
RoHS-Status
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Technische Daten für SI1958DH-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI1958DH-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
105pF @ 10V
Leistung max :
1.25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-70-6 (SOT-363)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI1958DH-T1-E3
Datenblätter :
SI1958DH-T1-E3.pdf
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