SI1958DH-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
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MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
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Technische Daten für SI1958DH-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI1958DH-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 105pF @ 10V
Leistung max : 1.25W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI1958DH-T1-E3
Datenblätter : SI1958DH-T1-E3.pdf
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