DMN60H4D5SK3-13 - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Hersteller Teilenummer

DMN60H4D5SK3-13

Interne Teilenummer

AX-DMN60H4D5SK3-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1948115 Pieces

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Technische Daten für DMN60H4D5SK3-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN60H4D5SK3-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 273.5pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 41W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN60H4D5SK3-13

Datenblätter : DMN60H4D5SK3-13.pdf

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