FDMS86183 - MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Hersteller Teilenummer

FDMS86183

Interne Teilenummer

AX-FDMS86183

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

742570 Pieces

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Technische Daten für FDMS86183

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMS86183

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 6V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1515pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDMS86183

Datenblätter : FDMS86183.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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