SI3909DV-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SI3909DV-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI3909DV-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
500mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.15W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI3909DV-T1-E3
Datenblätter :
SI3909DV-T1-E3.pdf
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