BSO615N - MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-BSO615N
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26201 Pieces
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Technische Daten für BSO615N
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO615N
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO615N
Datenblätter : BSO615N.pdf
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