SIDC23D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Hersteller Teilenummer

SIDC23D120H8X1SA1

Interne Teilenummer

AX-SIDC23D120H8X1SA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

121770 Pieces

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Technische Daten für SIDC23D120H8X1SA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIDC23D120H8X1SA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.97V @ 35A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Die

Supplier Device Package : Sawn on foil

Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIDC2 , SIDC23D1

Dokumente für SIDC23D120H8X1SA1

Datenblätter : SIDC23D120H8X1SA1.pdf

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