SIDC23D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SIDC23D120H8X1SA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIDC23D120H8X1SA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.97V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIDC23D120H8X1SA1
Datenblätter : SIDC23D120H8X1SA1.pdf
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