IRF7338PBF - MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC

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MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
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Technische Daten für IRF7338PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7338PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 9V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF , IRF73

Dokumente für IRF7338PBF

Datenblätter : IRF7338PBF.pdf

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