AUIRF1405ZS-7P - MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für AUIRF1405ZS-7P
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AUIRF1405ZS-7P
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5360pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK (7-Lead)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AUIRF1405ZS-7P
Datenblätter : AUIRF1405ZS-7P.pdf
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