FDT86113LZ - MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223

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MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
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Technische Daten für FDT86113LZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDT86113LZ
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FDT86113LZ.pdf

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