PSMN069-100YS,115 - MOSFET N-CH LFPAK

Hersteller Teilenummer

PSMN069-100YS,115

Interne Teilenummer

AX-PSMN069-100YS,115

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH LFPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1562850 Pieces

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Technische Daten für PSMN069-100YS,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PSMN069-100YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH LFPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72.4 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 56W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8

Paket / fall : SC-100, SOT-669

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PSMN069-100YS,115

Datenblätter : PSMN069-100YS,115.pdf

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