EPC2103ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2103ENG
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28483 Pieces
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Technische Daten für EPC2103ENG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EPC2103ENG
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 40V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EPC2103ENG
Datenblätter :
EPC2103ENG.pdf
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