IRFH8330TRPBF - MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IRFH8330TRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFH8330TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Ta), 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.3W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFH8330TRPBF
Datenblätter :
IRFH8330TRPBF.pdf
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