CSD86311W1723 - MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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Technische Daten für CSD86311W1723
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD86311W1723
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 12.5V
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 12-UFBGA, DSBGA
Supplier Device Package : 12-DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CSD86311W1723
Datenblätter : CSD86311W1723.pdf
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