NDD60N550U1-1G - MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NDD60N550U1-1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NDD60N550U1-1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
IPAK (TO-251)
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NDD60N550U1-1G
Datenblätter :
NDD60N550U1-1G.pdf
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