NDT01N60T1G - MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

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MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
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Technische Daten für NDT01N60T1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NDT01N60T1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223 (TO-261)
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : NDT01N60T1G.pdf

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