JAN2N6800 - MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

Hersteller Teilenummer

JAN2N6800

Interne Teilenummer

AX-JAN2N6800

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

17920 Pieces

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Technische Daten für JAN2N6800

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : JAN2N6800

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

Serie : Military, MIL-PRF-19500/557

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 400V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34.75nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-39

Paket / fall : TO-205AF Metal Can

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für JAN2N6800

Datenblätter : JAN2N6800.pdf

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