SUP60N02-4M5P-E3 - MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
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Technische Daten für SUP60N02-4M5P-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SUP60N02-4M5P-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5950pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SUP60N02-4M5P-E3
Datenblätter : SUP60N02-4M5P-E3.pdf
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