DN2625DK6-G - MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-DN2625DK6-G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
RoHS-Status
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Technische Daten für DN2625DK6-G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DN2625DK6-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Depletion Mode
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.04nC @ 1.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 8-DFN (5x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DN2625DK6-G
Datenblätter : DN2625DK6-G.pdf
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