SI4477DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
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MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
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Technische Daten für SI4477DY-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4477DY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 26.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 6.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI4477DY-T1-GE3
Datenblätter : SI4477DY-T1-GE3.pdf
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