TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Hersteller Teilenummer

TPN1110ENH,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPN1110ENH,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TPN1110ENH,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN1110ENH,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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