SIE808DF-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Hersteller Teilenummer

SIE808DF-T1-E3

Interne Teilenummer

AX-SIE808DF-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIE808DF-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIE808DF-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8800pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 10-PolarPAK® (L)

Paket / fall : 10-PolarPAK® (L)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIE8 , SIE808D

Dokumente für SIE808DF-T1-E3

Datenblätter : SIE808DF-T1-E3.pdf

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