IAUT165N08S5N029ATMA2 - MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Hersteller Teilenummer

IAUT165N08S5N029ATMA2

Interne Teilenummer

AX-IAUT165N08S5N029ATMA2

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IAUT165N08S5N029ATMA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IAUT165N08S5N029ATMA2

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 165A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 108µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6370pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOF-8-1

Paket / fall : 8-PowerSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IAUT165 , IAUT165N08

Dokumente für IAUT165N08S5N029ATMA2

Datenblätter : IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

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