DMNH10H028SCT - MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T

Hersteller Teilenummer

DMNH10H028SCT

Interne Teilenummer

AX-DMNH10H028SCT

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

275060 Pieces

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Technische Daten für DMNH10H028SCT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMNH10H028SCT

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31.9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1942pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMNH , DMNH10

Dokumente für DMNH10H028SCT

Datenblätter : DMNH10H028SCT.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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