NSVBAS21M3T5G - DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723

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DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
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Technische Daten für NSVBAS21M3T5G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSVBAS21M3T5G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 250V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-723
Supplier Device Package : SOT-723
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NSVB , NSVBAS

Dokumente für NSVBAS21M3T5G

Datenblätter : NSVBAS21M3T5G.pdf

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