DMT8012LSS-13 - MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMT8012LSS-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMT8012LSS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1949pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMT8012LSS-13
Datenblätter :
DMT8012LSS-13.pdf
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