NTD3813N-1G - MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Hersteller Teilenummer

NTD3813N-1G

Interne Teilenummer

AX-NTD3813N-1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für NTD3813N-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NTD3813N-1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 16V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.6A (Ta), 51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.75 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 963pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NTD3813N-1G

Datenblätter : NTD3813N-1G.pdf

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