SI6433BDQ-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

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MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
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Technische Daten für SI6433BDQ-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI6433BDQ-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSSOP
Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SI6433BDQ-T1-E3

Datenblätter : SI6433BDQ-T1-E3.pdf

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