IXTI10N60P - MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Hersteller Teilenummer

IXTI10N60P

Interne Teilenummer

AX-IXTI10N60P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8976 Pieces

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Technische Daten für IXTI10N60P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTI10N60P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Serie : PolarHV™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1610pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262 (I2PAK)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IXTI10N60P.pdf

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