BYG10KHM3_A/I - DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
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Kurze Beschreibung
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
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Technische Daten für BYG10KHM3_A/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYG10KHM3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYG10KHM3_A/I
Datenblätter : BYG10KHM3_A/I.pdf
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