IRFD220 - MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

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MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
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Technische Daten für IRFD220

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFD220
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 480mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : IRFD220.pdf

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