JANS1N3595US - DIODE GEN PURP 200MA DO35
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-JANS1N3595US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200MA DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5888 Pieces
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Technische Daten für JANS1N3595US
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JANS1N3595US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200MA DO35
Serie :
Military, MIL-S-19500-241
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
3µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1nA @ 125V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JANS1N3595US
Datenblätter :
JANS1N3595US.pdf
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