FDB16AN08A0 - MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Hersteller Teilenummer

FDB16AN08A0

Interne Teilenummer

AX-FDB16AN08A0

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDB16AN08A0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB16AN08A0

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1857pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 135W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDB16AN08A0.pdf

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