6A10B-G - DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 6A10B-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 6A10B-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 6A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 100pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : R6, Axial
Supplier Device Package : R-6
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 125°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 6A , 6A1

Dokumente für 6A10B-G

Datenblätter : 6A10B-G.pdf

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