MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Hersteller Teilenummer

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Interne Teilenummer

AX-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Non-Volatile

Speicherformat : FLASH

Technologie : FLASH - NAND

Speichergröße : 512Gb (64G x 8)

Taktfrequenz : 333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT29E512G , MT29E512G08CE

Dokumente für MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Datenblätter : MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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