AS4C512M8D3B-12BIN - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C512M8D3B-12BIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C512M8D3B-12BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Serie : -
Teilestatus : Preliminary
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR3
Speichergröße : 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz : 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 20ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 78-VFBGA
Supplier Device Package : 78-FBGA (9x10.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C512M8D3B-12BIN
Datenblätter : AS4C512M8D3B-12BIN.pdf
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