FQD2N60CTM-WS - MOSFET N-CH 600V 1.9A
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.9A
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FQD2N60CTM-WS
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQD2N60CTM-WS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1.9A
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FQD2N60CTM-WS
Datenblätter : FQD2N60CTM-WS.pdf
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