STS1HNK60 - MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

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MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
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Technische Daten für STS1HNK60

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STS1HNK60
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Serie : SuperMESH™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 156pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : STS1HNK60.pdf

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