RJK0601DPN-E0#T2 - MOSFET N-CH 60V 110A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RJK0601DPN-E0#T2
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RJK0601DPN-E0#T2
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 141nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10000pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RJK0601DPN-E0#T2
Datenblätter : RJK0601DPN-E0#T2.pdf
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