JANTXV1N5619 - DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für JANTXV1N5619

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTXV1N5619
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 12V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für JANTXV1N5619

Datenblätter : JANTXV1N5619.pdf

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