NTGD4169FT1G - MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

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MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
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Technische Daten für NTGD4169FT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTGD4169FT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 295pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : -25°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : NTGD4169FT1G.pdf

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