IRFS17N20D - MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

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Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
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Technische Daten für IRFS17N20D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFS17N20D
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF , IRFS1

Dokumente für IRFS17N20D

Datenblätter : IRFS17N20D.pdf

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