ZXMN6A25G - MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

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MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
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Technische Daten für ZXMN6A25G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ZXMN6A25G
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1063pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für ZXMN6A25G

Datenblätter : ZXMN6A25G.pdf

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