A2G26H281-04SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller Teilenummer

A2G26H281-04SR3

Interne Teilenummer

AX-A2G26H281-04SR3

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5016 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für A2G26H281-04SR3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : A2G26H281-04SR3

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : LDMOS

Frequenz : 2.496GHz ~ 2.69GHz

Gewinnen : 14.2dB

Spannungs - Test : 48V

Aktuelle Bewertung : -

Rauschzahl : -

Aktueller Test : 150mA

Leistung : 50W

Spannung - bewertet : 125V

Paket / fall : NI-780S-4L

Supplier Device Package : NI-780S-4L

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : A2G26 , A2G26H2

Dokumente für A2G26H281-04SR3

Datenblätter : A2G26H281-04SR3.pdf

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PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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