SIDC09D60E6YX1SA1 - DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SIDC09D60E6YX1SA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIDC09D60E6YX1SA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 20A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 20A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIDC09D60E6YX1SA1
Datenblätter : SIDC09D60E6YX1SA1.pdf
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